RD3P100SNFRATL-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备15A的最大漏极电流ID和100V的漏源击穿电压VDSS，适用于多种中高压功率应用场合。导通电阻RDON为100mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。器件采用稳定可靠的制造工艺，具有良好的热性能与耐久性，适合用于电源转换、开关控制、电池管理系统及消费类电子设备中的功率切换场景。其参数特性可满足多数常规功率设计需求，适用于广泛领域的电路设计方案。
本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备15A的最大漏极电流ID和100V的漏源击穿电压VDSS，适用于多种中高压功率应用场合。导通电阻RDON为100mΩ，有助于降低导通损耗，提升整体效率。器件采用稳定可靠的制造工艺，具有良好的热性能与耐久性，适合用于电源转换、开关控制、电池管理系统及消费类电子设备中的功率切换场景。其参数特性可满足多数常规功率设计需求，适用于广泛领域的电路设计方案。