R6076MNZ1C9

停产晶体管 - FET,MOSFET - 单TO-247

MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247

查看替代型号问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流76 A
导通电阻55 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

已收录 7 个替代型号,登录后查看。

技术参数

沟道N 沟道
耐压600 V
连续漏极电流76 A
导通电阻55 mΩ最大 · 38A
阈值电压5 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)740W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTube
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247
其他
Base Product NumberR6076
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7000 pF @ 25 V
MfrRohm Semiconductor
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 38A, 10V
Series-
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

技术资料

该型号暂未收录资料。