QSX1TR

QSX1TR

在产晶体管 - 双极(BJT) - 单管SOT-23-6 Thin

TRANS NPN 12V 6A TSMT6

类型NPN
集射极耐压12 V
集电极电流6 A
放大倍数 hFE270

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技术参数

类型NPN
集射极耐压12 V
集电极电流6 A最大
放大倍数 hFE270500mA
功率1.25 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)6 A
Power - Max1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)12 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition250MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
其他
Base Product NumberQSX1
MfrRohm Semiconductor
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic200mV @ 60mA, 3A

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