QST3TR

QST3TR

在产晶体管 - 双极(BJT) - 单管SOT-23-6 Thin

TRANS PNP 30V 5A TSMT6

类型PNP
集射极耐压30 V
集电极电流5 A
放大倍数 hFE270

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技术参数

类型PNP
集射极耐压30 V
集电极电流5 A最大
放大倍数 hFE270500mA
功率1.25 W最大
电源
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)5 A
Power - Max1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30 V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition200MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)
其他
Base Product NumberQST3
MfrRohm Semiconductor
Product StatusActive
Series-
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 40mA, 2A

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