QS6J1TR-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款双通道P型MOSFET，采用Trench工艺，具有良好的性能稳定性和可靠性，适用于需要高压承受能力、低功耗和高效能的电路和模块，如电源管理、电动车控制和工业自动化等领域。SOT23-6；2个P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.5~-2V；
沟道P 沟道
耐压20 V
导通电阻75 mΩ
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沟道P 沟道
耐压20 V
导通电阻75 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V |
| 数量 | 2个P沟道 |