QM3006M3-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
沟道N 沟道
耐压30 V
阈值电压1.2 V
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沟道N 沟道
耐压30 V
阈值电压1.2 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 33W |