PSMN035-150B

IC MOSFET N-CH 150V 50A TRENCHMOS

NXP PSMN035-150B 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT404 (D2-PAK) 封装，最大漏源电压 150V，连续漏极电流 50A，具有低导通电阻和快速开关特性。规格书核对

沟道N 沟道

耐压150 V

连续漏极电流50 A

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沟道N 沟道

耐压150 VTj = 25 to 175 °C

连续漏极电流50 ATmb = 25 °C

15 项

参数	值和测试条件	出处
沟道	N-channel
耐压	Max 150 V; Tj = 25 to 175 °C
连续漏极电流	Max 50 A; Tmb = 25 °C; Figure 2 and 3
封装	SOT404 (D2-PAK)
工作温度	Min -55 °C; Max +175 °C
存储温度	Min -55 °C; Max +175 °C
栅源电压	Max ±20 V
峰值漏极电流	Max 200 A; Tmb = 25 °C; pulsed; tp ≤ 10 μs; Figure 3
总耗散功率	Max 250 W; Tmb = 25 °C; Figure 1
热阻 (结到安装基座)	0.6 K/W; Figure 5
热阻 (结到环境)	50 K/W; SOT404 package; mounted on printed circuit board; minimum footprint
非重复雪崩能量	Max 460 mJ; unclamped inductive load
非重复雪崩电流	Max 50 A; IAS = 47 A; tp = 0.1 ms; VDD ≤ 50 V; RGS = 50 Ω; VGS = 10 V; starting Tj = 25 °C; Figure 4
源极二极管正向电流	Max 50 A; Tmb = 25 °C
峰值源极二极管正向电流	Max 200 A; Tmb = 25 °C; pulsed; tp ≤ 10 μs

全部参数（6 项）展开收起

封装SOT404 (D2-PAK)

脚位	名称	功能	出处
1		栅极 (gate)
2		漏极 (drain) [注: SOT404封装无法连接此引脚]
3		源极 (source)
mb		安装基座; 连接至漏极 (mounting base; connected to drain)

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。