PSMN035-150B-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N型晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电动车电机控制器、太阳能光伏逆变器、工业自动化设备等领域。TO263；N—Channel沟道,150V；45A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=4~6V；
沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流45 A
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流45 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 45A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 160W |