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技术参数

电源
IC-最大集电极电流0.1A
VCEO-CE结击穿电压50V
VCEO-集射级击穿电压50V
交流 / 直流特性
fT-变换频率230MHZ
hFE-最小直流增益35
Hfe-最小直流增益35
环境与封装
封装类型1DFN
其他
Pd-功率耗散0.25W
Pd-最大功率耗散0.25W
偏置电阻R12.2KΩ
偏置电阻R210KΩ
引脚数量13

器件图片

技术资料