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技术参数

电源
ID-最大漏极电流60A
VDSS-最大漏源电压40V
Vgs(th)-门槛电压2.3V
交流 / 直流特性
RDS(on)-漏源导通阻抗8mΩ
环境与封装
封装类型1TO252
其他
Ciss-输入等效电容1704pF
Qg-栅极电荷34nC
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13

技术资料