FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
PD55003S-E是一款N沟道增强型LDMOS射频功率晶体管，采用PowerSO-10RF直引脚封装，最大漏源电压40V，结温165°C，适用于1GHz以下高增益宽带应用。规格书核对
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技术参数
规格书核对参数
12 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 封装 | PowerSO-10RF (straight lead) | |
| 工作温度 | Max. operating junction temperature: 165 °C | |
| 存储温度 | -65 to +150 °C | |
| 漏源击穿电压 | 40 V (T_CASE = 25°C) | |
| 栅源电压 | ±20 V (T_CASE = 25°C) | |
| 漏极电流 | 2.5 A (T_CASE = 25°C) |
全部参数（16 项）
| 电源 | |
|---|---|
| Current Rating (Amps) | 2.5A |
| Current - Test | 50 mA |
| Power - Output | 3W |
| Voltage - Rated | 40 V |
| Voltage - Test | 12.5 V |
| 交流 / 直流特性 | |
| Frequency | 500MHz |
| Gain | 17dB |
| Noise Figure | - |
| 环境与封装 | |
| Package | Tube |
| Package / Case | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
| Supplier Device Package | PowerSO-10RF (Straight Lead) |
| 其他 | |
| Base Product Number | PD55003 |
| Mfr | STMicroelectronics |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | LDMOS |
引脚与封装
Figure 1. Pin connection
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | 源极 (Source) | ||
| 2 | 栅极 (Gate) | ||
| 3 | 漏极 (Drain) |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。