P1006BD

在产单 FET,MOSFET

P1006BD · MOSFET · TO-252

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技术参数

ConfigurationSingle
ESD DiodeNo
ID (A)66
RDS(ON)mΩmax at 10V10
RDS(ON)mΩmax at 4.5V13
Schottky DiodeNo
TypeN
Typical Ciss(pF)1920
Typical Crss(pF)140
Typical Qgd(nC)12
Typical Qg(nC)42
VDS (V)60
VGS(th) max2.3
VGS (±V)20

技术资料