U-NIKC(旭康微)

P1006BD

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流66 A
导通电阻10 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流66 A
导通电阻10 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)66A
其他
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 731.9 KB · 2026-09-21
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