NVF2955PT1G
onsemi美国

NVF2955PT1G

停产晶体管 - FET,MOSFET - 单SOT-223

MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223

查看国产替代问 AI FAE
沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流1.7 A
导通电阻185 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流1.7 A
导通电阻185 mΩ最大 · 2.4A
阈值电压4 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)1W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~175°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Supplier Device PackageSOT-223 (TO-261)
其他
Base Product NumberNVF295
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds492 pF @ 25 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs185mOhm @ 2.4A, 10V
SeriesAutomotive, AEC-Q101
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。