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NP1216DR

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压12 V
连续漏极电流16 A
导通电阻17.5 mΩ

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技术参数

耐压12 V
连续漏极电流16 A
导通电阻17.5 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)16A
其他
导通电阻(RDS(on))17.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.3W

技术资料

数据手册数据手册 · 329.0 KB · 2026-09-21
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