NEC Corporation日本

NE650R479A

单二极管79A

MES FET N-CH 0.4W 15V 79A

NEC 0.4 W L/S波段GaAs MES FET，79A封装，适用于移动通信基站和手机中功率发射机驱动放大。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

17 项
参数值和测试条件出处
类型N-CHANNEL GaAs MES FET
封装79A
漏源电压Max: 15 V (TA = 25 °C)
栅源电压Max: -7 V (TA = 25 °C)
漏极电流Max: 0.6 A (TA = 25 °C)
总耗散功率Max: 2.5 W (TA = 25 °C)
通道温度Max: 150 °C (TA = 25 °C)
存储温度-65 to +150 °C
推荐漏源电压Max: 6.0 V
推荐通道温度Max: +125 °C
饱和漏极电流Typ: 0.35 A (VDS = 2.5 V, VGS = 0 V, TA = 25 °C)
夹断电压Min: -2.5 V, Max: -0.5 V (VDS = 2.5 V, ID = 2 mA, TA = 25 °C)
栅漏击穿电压Min: 13 V (Igd = 2 mA, TA = 25 °C)
热阻Typ: 30 °C/W, Max: 50 °C/W (Channel to Case, TA = 25 °C)
1 dB增益压缩点输出功率Typ: 26.0 dBm (f = 1.9 GHz, VDS = 6.0 V, IDset = 100 mA, TA = 25 °C)
线性增益Min: 13.0 dB, Typ: 14.0 dB (f = 1.9 GHz, VDS = 6.0 V, IDset = 100 mA, TA = 25 °C)
功率附加效率Typ: 45 % (f = 1.9 GHz, VDS = 6.0 V, IDset = 100 mA, TA = 25 °C)
全部参数（7 项）展开收起
电源
Drain to Source Voltage15 V
Power Added Efficiency45 % (Typ)
Total Power Dissipation2.5 W
交流 / 直流特性
Linear Gain14.0 dB (Typ)
Output Power at 1 dB Gain Compression Point26.0 dBm (Typ)
环境与封装
Package79A
Storage Temperature-65 to +150 °C

引脚与封装

封装79A

脚位名称功能出处
1漏极 (Drain)
2源极 (Source)
3栅极 (Gate)

器件图片

技术资料

数据手册数据手册 · 59.3 KB · 2026-10-29
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