Renesas Electronics Corporation日本

NE3210S01

晶体管 - FET，MOSFET - RF4-pin

NE3210S01是一款X至Ku波段超低噪声N沟道HJ-FET，典型噪声系数0.35dB，增益13.5dB，适用于DBS系统。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

16 项
参数值和测试条件出处
封装4-pin (1. Source, 2. Drain, 3. Source, 4. Gate)
工作温度Channel Temperature: 125 °C; Storage Temperature: -65 to +125 °C
漏源电压Max: 4.0 V (Absolute Maximum); Recommended: Min 1 V, Typ 2 V, Max 3 V
栅源电压Max: -3.0 V (Absolute Maximum)
漏极电流Recommended: Min 5 mA, Typ 10 mA, Max 15 mA
饱和漏极电流Min 15 mA, Typ 40 mA, Max 70 mA (VDS=2 V, VGS=0 V)
栅极电流Max: 100 μA (Absolute Maximum)
栅源漏电流Typ 0.5 μA, Max 10 μA (VGS=-3 V)
总耗散功率Max: 165 mW
输入功率Max: 0 dBm
栅源截止电压Min -0.2 V, Typ -0.7 V, Max -2.0 V (VDS=2 V, IDS=100 μA)
跨导Min 40 mS, Typ 55 mS (VDS=2 V, IDS=10 mA)
噪声系数Typ 0.35 dB, Max 0.45 dB (VDS=2 V, IDS=10 mA, f=12 GHz)
相关增益Min 12.0 dB, Typ 13.5 dB (VDS=2 V, IDS=10 mA, f=12 GHz)
栅长Lg ≤ 0.20 μm
栅宽Wg = 160 μm

引脚与封装

封装4-pin (1. Source, 2. Drain, 3. Source, 4. Gate)

脚位名称功能出处
1源极 (Source)
2漏极 (Drain)
3源极 (Source)
4栅极 (Gate)

器件图片

技术资料

数据手册数据手册 · 734.5 KB · 2026-11-09
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