Figure 3. Pinout Diagram
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NCP252163MNTWG

全桥/半桥驱动器PQFN31

IC DRIVER MOSFET 60A 16V 31-PQFN

NCP252163MNTWG是一款集成MOSFET驱动器和上下桥MOSFET的半桥驱动器,适用于DC-DC降压转换,支持60A平均电流,采用PQFN31封装。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

22 项
参数值和测试条件出处
封装PQFN31(Pb-Free)
工作温度Min: -40 °C, Max: 125 °C
RoHSPb-Free
推荐供电电压范围VCC, VCCD: Min 4.5 V, Typ 5.0 V, Max 5.5 V
推荐转换电压VIN: Min 4.5 V, Typ 12 V, Max 16 V
推荐BOOT对PHASE电压Min 4.1 V, Typ 4.6 V, Max 5.1 V
最大绝对额定电压 VCC/VCCDMin -0.3 V, Max 6.5 V
最大绝对额定电压 VINMin -0.3 V, Max 25 V
最大绝对额定电压 BOOT (DC)Min -0.3 V, Max 30 V
最大绝对额定电压 VSW/PHASE (DC)Min -0.3 V, Max 25 V
连续输出电流 (1 MHz)Max 55 A, Conditions: F_SW=1 MHz, V_IN=12 V, V_OUT=1.0 V, T_A=25°C
连续输出电流 (300 kHz)Max 60 A, Conditions: F_SW=300 kHz, V_IN=12 V, V_OUT=1.0 V, T_A=25°C
峰值输出电流Max 85 A, Conditions: Duration = 5 μs, Period = 10 ms
VCC静态电流 (工作)Typ 1 mA, Max 2 mA, Conditions: DISB# = 5 V, PWM = 400 kHz
VCC静态电流 (禁用)Typ 0.4 μA, Max 1 μA, Conditions: DISB# = 0 V, SMOD# = VCC
UVLO启动阈值Min 2.89 V, Max 3.37 V, Conditions: VCC rising
UVLO迟滞Min 150 mV
下桥驱动源阻抗Typ 0.9 Ω, Conditions: Source Current = 100 mA
下桥驱动灌阻抗Typ 0.4 Ω, Conditions: Sink Current = 100 mA
下桥上升时间Typ 27 ns, Conditions: GL = 10% to 90%
下桥下降时间Typ 13 ns, Conditions: GL = 90% to 10%
保护功能Undervoltage Lockout, Thermal Warning Output, Thermal Shutdown
全部参数(6 项)展开收起
电源
Continuous Output Current60 A (Max)
Conversion Voltage16 V (Max)
Peak Output Current85 A (Max)
Supply Voltage Range5.5 V (Max)
环境与封装
Junction Temperature-40 °C (Min) to 125 °C (Max)
PackagePQFN31(Pb-Free)

引脚与封装

Figure 3. Pinout Diagram
Figure 3. Pinout Diagram
封装:PQFN31(Pb-Free)
脚位名称功能出处
1PWM控制输入和零电流检测使能
2跳波模式引脚,三态输入
3控制电源输入
4信号地
5自举电压
6未使用引脚
7自举电容返回
8转换电源输入
9转换电源输入
10转换电源输入
11转换电源输入
12功率地
13功率地
14功率地
15功率地
16开关节点输出
17开关节点输出
18开关节点输出
19开关节点输出
20开关节点输出
21开关节点输出
22开关节点输出
23开关节点输出
24开关节点输出
25开关节点输出
26开关节点输出
27下桥FET栅极访问
28功率地
29驱动器电源输入
30热警告指示,开漏输出
31输出禁用引脚,高电平使能
32信号地
33下桥FET栅极访问

器件图片

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。