MUR160AHB0G

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

反向耐压600 V
平均整流电流1 A
正向压降1.25 V
类型标准

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技术参数

反向耐压600 V
平均整流电流1 A
正向压降1.25 V最大 · 1 A
类型标准Fast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 1 A
环境与封装
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature - Junction-55°C~175°C
PackageBulk
Package / CaseDO-204AL, DO-41, Axial
Supplier Device PackageDO-204AL (DO-41)
其他
Base Product NumberMUR160
Capacitance @ Vr, F27pF @ 4V, 1MHz
Diode TypeStandard
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)50 ns
SeriesAutomotive, AEC-Q101
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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