MTP3055VL-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，具有适中的电压容限和漏极电流，适用于中功率应用场景。TO220；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻24 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻24 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V,50A |
| 数量 | 1个N沟道 |