MTP23P06VG-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、工业自动化模块、通信设备模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-40A；RDS(ON)=62mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
沟道P 沟道
耐压60 V
导通电阻62 mΩ
阈值电压1 V
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沟道P 沟道
耐压60 V
导通电阻62 mΩ最大 · 10V
阈值电压1 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@10V,20A |
| 数量 | 1个P沟道 |