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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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沟道
N 沟道
耐压
150 V
连续漏极电流
120 A
电源
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
120A
其他
数量
1个N沟道
栅极电荷量(Qg)
89nC@10V
器件图片
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技术资料
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