MPT04N10P
晶体管 - FET，MOSFET - 单数量:1个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):120A 导通电阻(RDS(on)):3.3mΩ@10V
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流172 A
导通电阻3.3 mΩ
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流172 A
导通电阻3.3 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 172A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |