MMBTA55LT1

单个双极晶体管

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技术参数

电源
Ic-最大集电极电流	0.5A
IC-最大集电极电流	0.5A
VCEO-CE结击穿电压	60V
VCEO-集射级击穿电压	60V
交流 / 直流特性
fT-变换频率	50MHZ
hFE-最小直流增益	100
Hfe-最小直流增益	100
环境与封装
封装类型1	SOT23
最大工作温度	150℃
其他
Pd-功率耗散	0.225W
Pd-最大功率耗散	0.225W
引脚数量1	3

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