MI4606-JSM
晶体管 - FET，MOSFET - 单采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
沟道N + P
耐压40 V
连续漏极电流8 A
导通电阻35 mΩ
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沟道N + P
耐压40 V
连续漏极电流8 A
导通电阻35 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,7.0A |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |