波长855 nm
正向电压1.8 V

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技术参数

波长855 nm
正向电压1.8 V典型
环境与封装
工作温度-40℃~+125℃
其他
正向压降(Vf)1.8V
波长855nm
辐射强度190mW/sr@1A

技术资料