MATSUKI(松木)中国

ME60N03AS

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:25V 电流:53A

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沟道N 沟道
耐压25 V
连续漏极电流53 A
导通电阻6.7 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压25 V
连续漏极电流53 A
导通电阻6.7 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)25V
连续漏极电流(Id)53A
其他
导通电阻(RDS(on))6.7mΩ@10V,30A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21
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