ME60N03AS-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率输出和稳定性能的电源管理和功率控制系统。TO252；N—Channel沟道,20V；100A；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=4.5V,VGS=15V；Vth=0.5~1.5V；
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流100 A
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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流100 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 8.3W |