JSMSEMI(杰盛微)中国

ME60N03-JSM

晶体管 - FET，MOSFET - 单

适用于各类电源转换和开关控制场景。

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流80 A
导通电阻5.5 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流80 A
导通电阻5.5 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
其他
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V,80A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 35.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 622.4 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 413.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 371.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 225.2 KB · 2026-09-21
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