HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

这款P沟道场效应管（MOSFET）设计精良，具有强大的电气性能。它支持的最大漏极电流ID高达15A，最高漏源电压VDSS为60V，而导通电阻RDON仅为70mΩ，这使得它成为高效率开关应用的理想选择。该MOSFET支持的最高栅源电压VGS为20V，确保了在复杂电路环境中的稳定运行。适用于电源转换、信号处理等需要高性能开关元件的应用场景，能够提供卓越的能效与稳定性。