MATSUKI(松木)中国

ME13N10A

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,电流:11.3A,耐压:100V

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流11.3 A
导通电阻145 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流11.3 A
导通电阻145 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)11.3A
其他
导通电阻(RDS(on))145mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21
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