MATSUKI(松木)中国

ME10N15

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N沟道,电流:7A,耐压:150V

查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流7.6 A
导通电阻345 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流7.6 A
导通电阻345 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)7.6A
其他
导通电阻(RDS(on))345mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 854.9 KB · 2026-09-21
进入资料中心