MATSUKI(松木)中国

ME10N15-G

晶体管 - FET，MOSFET - 单

ME10N15-G

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沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流7.6 A

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技术参数

沟道N 沟道
耐压150 V
连续漏极电流7.6 A
电源
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)7.6A
其他
数量1个N沟道
耗散功率(Pd)32.1W

技术资料

数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21
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