MAX2601ESA+

MAX2601ESA+

在产双极 RF 晶体管8 SOIC

RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC

MAX2601ESA+是一款3.6V、1W硅双极RF功率晶体管,适用于900MHz应用,采用8引脚SOIC封装,工作温度-40°C至+85°C,无需负偏置或电源开关。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

18 项
参数值和测试条件出处
封装8 SOIC
工作温度-40°C to +85°C
集电极-发射极击穿电压Min 15 V (IC < 100μA, Open base)
集电极-发射极击穿电压(基极短路)Min 15 V (IC < 100μA, Shorted base)
集电极-发射极维持电压Min 5.0 V (IC = 200mA)
集电极-基极击穿电压Min 15 V (IC < 100μA, emitter open)
直流电流增益Min 100 (IC = 250mA, VCE = 3V)
集电极截止电流Min 0.05 μA, Typ 1.5 μA (VCE = 6V, VBE = 0V)
输出电容Min 9.6 pF (VCB = 3V, IE = 0mA, f = 1MHz)
频率范围Min DC, Max 1 GHz
基极电流Typ 4.2 mA (VCC = 3.6V, VBB = 0.750V, POUT = 30dBm, f = 836MHz)
谐波Typ -43 dBc (VCC = 3.6V, POUT = 30dBm)
功率增益Typ 11.6 dB (POUT = 30dBm)
集电极效率Typ 58 % (No modulation)
噪声系数Typ 3.3 dB (VBB = 0.9V)
存储温度-65°C to +165°C
结温+150°C
引脚温度(焊接, 10s)+300°C
全部参数(17 项)展开收起
电源
Current - Collector (Ic) (Max)1.2A
Power - Max6.4W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)15V
交流 / 直流特性
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 250mA, 3V
Frequency - Transition1GHz
Gain11.6dB
Noise Figure (dB Typ @ f)3.3dB @ 836MHz
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C (TJ)
PackageTube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package8-SOIC-EP
其他
Base Product NumberMAX2601
MfrAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN

引脚与封装

TOP VIEW PSOPII
TOP VIEW PSOPII
封装:8 SOIC
脚位名称功能出处
1, 8C: 晶体管集电极
2, 3, 6, 7, SlugE: 晶体管发射极
4, 5B: 晶体管基极

器件图片

MAX2601ESA+实物照片 · 产品库

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。