LR4343-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有高效、稳定和可靠的特性，可满足不同应用的需求，适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；45A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流45 A
导通电阻25 mΩ
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流45 A
导通电阻25 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 45A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |