特性:20V N沟道3A、低压MOS管、1.8V驱动MOSFET。导通电阻低、开关速度快、采用先进沟槽工艺,工作温度范围宽:-55℃ ~ +150℃,适应严苛环境。应用于消费电子(手机、可穿戴)、工业控制(PLC、传感器)、通信设备等领域。

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