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技术参数
反向耐压1 kV
平均整流电流35 A35 A (Tc = 55°C)
正向压降1.1 V最大 · 1.1 V (at IF = 17.5 A)
规格书核对参数
20 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 平均整流电流 | 35 A (Tc = 55°C) | |
| 反向耐压 | 1000 V | |
| 正向压降 | 1.1 V (at IF = 17.5 A) | |
| 类型 | Silicon Bridge Rectifiers | |
| 封装 | Metal Case (BR50M) | |
| 工作温度 | -40 to +150 °C |
全部参数(6 项)
| 电源 | |
|---|---|
| Maximum Average Forward Current Tc = 55°C | 35 A |
| Maximum DC Reverse Current Ta = 25 °C at Rated DC Blocking Voltage | 10 μA |
| Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 17.5 A | 1.1 V |
| Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage | 1000 V |
| 环境与封装 | |
| Case | Metal Case |
| Operating Junction Temperature Range | -40 to +150 °C |
器件图片
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。