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技术参数

电源
IC(100℃)-最大集电极电流12A
IC(25℃)-最大集电极电流30A
ICM-集电极峰值电流100A
IF-二极管正向电流12A
VCES-集射极阻断电压3000V
环境与封装
封装类型1TO268
其他
Eoff-关断损耗能量NmJ
Eon-开通损耗能量NmJ
Pd-功率耗散160W
Qg-栅极电荷62nC
tf-下降时间540ns
VCE(sat)-集射级饱和压降2.8V
VF-二极管导通压降2.1V
Vges-门极发射极耐压20V
Vge(th)-门极发射极阈值5V
内置ESD保护二极管0
内置串联二极管0
引脚数量13
软开关0

技术资料