IRLZ44NSPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造。具有高效、稳定和可靠的特性，适用于多种领域的功率电子应用，可满足不同应用场景的需求。TO263；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=10V；Vth=1~3V；
沟道N 沟道
耐压60 V
阈值电压3 V
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沟道N 沟道
耐压60 V
阈值电压3 V最大 · 250uA
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 150W |