IRLR7843TRPBF&3-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电桩模块、阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流100 A
导通电阻3 mΩ
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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流100 A
导通电阻3 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V,37A |
| 数量 | 1个N沟道 |