MOSFET P-CH 20V 5.6A 0.050OHM MICRO6
IRLMS6802PBF是一款-20V、5.6A的P沟道HEXFET功率MOSFET，采用Micro6 (SOT23 6L)封装，具有超低导通电阻，适用于电池和负载管理应用。规格书核对
沟道P 沟道
耐压-20 V
连续漏极电流-5.6 A
导通电阻50 mΩ
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沟道P 沟道
耐压-20 VMin: -20 V (VGS = 0V，ID = -250μA)
连续漏极电流-5.6 ATA = 25°C，VGS = -4.5V，TA = 70°C，VGS = -4.5V
导通电阻50 mΩ最大 · VGS = -4.5V，ID = -5.1A，VGS = -2.5V，ID = -3.4A
阈值电压-1.2 V最大 · Max: -1.2 V (VDS = VGS，ID = -250μA)
规格书核对参数
22 项| 参数 | 值和测试条件 | 出处 |
|---|---|---|
| 沟道 | P-Channel | |
| 耐压 | Min: -20 V (VGS = 0V, ID = -250μA) | |
| 连续漏极电流 | Max: -5.6 A @ TA = 25°C, VGS = -4.5V; Max: -4.5 A @ TA = 70°C, VGS = -4.5V | |
| 导通电阻 | Max: 0.050 Ω @ VGS = -4.5V, ID = -5.1A; Max: 0.100 Ω @ VGS = -2.5V, ID = -3.4A | |
| 阈值电压 | Min: -0.60 V, Max: -1.2 V (VDS = VGS, ID = -250μA) | |
| 封装 | Micro6 (SOT23 6L) |
全部参数（7 项）
| 环境与封装 | |
|---|---|
| Package | Micro6 |
| 其他 | |
| I_D @ T_A = 25°C | -5.6 A (Max) |
| P_D @ T_A = 25°C | 2.0 W (Max) |
| R_DS(on) | 0.050 Ω (Max) |
| T_J, T_STG | -55 to + 150 °C |
| V_DS | -20 V (Max) |
| V_GS(th) | -0.60 V (Min) |
引脚与封装
封装Micro6 (SOT23 6L)
| 脚位 | 名称 | 功能 | 出处 |
|---|---|---|---|
| 1 | 漏极 (Drain) | ||
| 2 | 漏极 (Drain) | ||
| 3 | 源极 (Source) | ||
| 4 | 源极 (Source) | ||
| 5 | 栅极 (Gate) | ||
| 6 | 漏极 (Drain) |
技术资料
规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取，点页码查看原文。