ALJ(龙晶微)中国
IRLML6401TRPBF-ALJ
晶体管 - FET,MOSFET - 单特性:P沟道MOSFET,电压(VDS):-12V,电流 (ID):-4.3A (TA=25°C),-3.4 A (TA=70°C)。超低导通电阻,开关速度快。低压负载开关特别适合低压逻辑直接驱动的负载开关,用于可穿戴设备、智能手机等。
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特性:P沟道MOSFET,电压(VDS):-12V,电流 (ID):-4.3A (TA=25°C),-3.4 A (TA=70°C)。超低导通电阻,开关速度快。低压负载开关特别适合低压逻辑直接驱动的负载开关,用于可穿戴设备、智能手机等。
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