IRLML2502TRPBF-HXY
晶体管 - FET，MOSFET - 单此款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，最大连续电流6A。专为高效能电子应用设计，具备低导通电阻与快速开关性能，适用于充电器、电源转换等领域，实现精准可靠的功率控制与管理。
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻27 mΩ
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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6 A
导通电阻27 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V,4A |
| 数量 | 1个N沟道 |