Vishay美国

IRLD110PBF

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:100V 电流:1A

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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流1 A
导通电阻540 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流1 A
导通电阻540 mΩ最大 · 5V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1A
其他
导通电阻(RDS(on))540mΩ@5V,0.60A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 210.6 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 41.0 KB · 2026-09-21
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