IRL540NSPBF-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，具有高性能和可靠性，采用Trench工艺制造，适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO263；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流45 A
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流45 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 45A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |