MOSFET N-CH 55V 49A TO-220

IRFZ44N 是一款 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET,TO-220 封装,耐压 55V,连续漏极电流 49A,导通电阻最大 17.5mΩ,工作温度 -55 至 +175°C,具备低导通电阻和快速开关特性。规格书核对

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沟道N 沟道
耐压55 V
连续漏极电流49 A
导通电阻17.5 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压55 V
连续漏极电流49 AT_C = 25°C,V_GS = 10V
导通电阻17.5 mΩ最大

规格书核对参数

22 项
参数值和测试条件出处
沟道N-Channel
耐压55V
连续漏极电流49A @ T_C = 25°C, V_GS = 10V
导通电阻17.5mΩ max
封装TO-220
工作温度-55 to +175 °C
RoHSLead-Free
最大耗散功率94W @ T_C = 25°C
脉冲漏极电流160A
栅源电压±20V
雪崩电流25A
重复雪崩能量9.4mJ
峰值二极管恢复 dv/dt5.0V/ns
结到壳热阻1.5°C/W max
结到环境热阻62°C/W max
总栅极电荷63nC @ I_D=25A, V_DS=44V, V_GS=10V
输入电容1470pF max @ V_GS=0V, V_DS=25V, f=1.0MHz
输出电容360pF max @ V_GS=0V, V_DS=25V, f=1.0MHz
反向传输电容88pF max @ V_GS=0V, V_DS=25V, f=1.0MHz
开通延迟时间12ns max @ V_DD=28V, I_D=25A, R_G=12Ω, V_GS=10V
关断延迟时间44ns max @ V_DD=28V, I_D=25A, R_G=12Ω, V_GS=10V
单脉冲雪崩能量5305mJ max @ I_AS=25A, L=0.47mH
全部参数(7 项)展开收起
环境与封装
Package TypeTO-220
其他
ID @ TC = 25°C49 A (Max)
PD @ TC = 25°C94 W (Max)
RDS(on)17.5 mΩ (Max)
TJ TSTG-55 to +175 °C
V(BR)DSS55 V (Min)
VGS±20 V (Max)

引脚与封装

封装TO-220

脚位名称功能出处
1栅极 (Gate)
2漏极 (Drain)
3源极 (Source)

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。