IRFZ44N-MNS
晶体管 - FET,MOSFET - 单N沟道,60V,60A,12mΩ 10V 10A 87W 采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON),低栅极电荷
沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流60 A
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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流60 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 60A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 87W |
N沟道,60V,60A,12mΩ 10V 10A 87W 采用先进的沟槽技术,提供优异的RDS(ON),低栅极电荷
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 60A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 87W |