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IRF9622

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压200 V
连续漏极电流3 A
导通电阻2.4 Ω

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技术参数

沟道P 沟道
耐压200 V
连续漏极电流3 A
导通电阻2.4 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)3A
其他
导通电阻(RDS(on))2.4Ω@10V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 895.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 708.8 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 179.1 KB · 2026-09-21
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