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IRF831

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N 沟道
耐压450 V
连续漏极电流4.5 A
导通电阻1.5 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压450 V
连续漏极电流4.5 A
导通电阻1.5 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)450V
连续漏极电流(Id)4.5A
其他
导通电阻(RDS(on))1.5Ω@10V
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 895.3 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 708.8 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 182.7 KB · 2026-09-21
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