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IRF820LPBF

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:500V 电流:2.5A

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沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻3 Ω

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技术参数

沟道N 沟道
耐压500 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻3 Ω最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)2.5A
其他
导通电阻(RDS(on))3Ω@10V,1.5A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 210.6 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 140.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 41.0 KB · 2026-09-21
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